太陽電池用にRFマグネトロンスパッタしたZnO:Al薄膜に対するAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>ドーピング濃度の影響

JEONG Chaehwan; KIM Ho-Sung; CHANG Duck-Rye; KAMISAKO Koichi

文献

J-GLOBAL ID：200902294146095440 整理番号：08A0790809

太陽電池用にRFマグネトロンスパッタしたZnO:Al薄膜に対するAl₂O₃ドーピング濃度の影響

Effect on Al₂O₃ Doping Concentration of RF Magnetron Sputtered ZnO:Al Films for Solar Cell Applications

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資料名：
巻： 47 号： 7 Issue 1 ページ： 5656-5658 発行年： 2008年07月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

AlドープしたZnO(AZO)薄膜を太陽電池用にガラス基板上にRFマグネトロンスパッタによって蒸着した。AZO薄膜の構造的,電気的,および光学的性質に対するAl₂O₃ドーピング濃度の影響を調べた。Al₂O₃ドーピング濃度を4.0wt%まで上げると,X線回折によって(002)ピーク強度が劣化し,より大きい角度へのシフトが認められた。最適電気的特性(ρ=9.8X10^-4Ωcm,μ_H=22cm²V_-1s_-1,およびn_c=2.89x10²⁰cm^-3)が2wt%のAl₂O₃のAZO試料で得られた。また可視領域で>83%の光透過率が認められ,光バンドギャップはAl₂O₃濃度4wt%において3.63eVに上昇した。フォトルミネッセンス(PL)スペクトルには,Al₂O₃濃度0-2.0wt%のドーピングにおいて,約3.2eVにおける1本の紫外線ピークと2.3-2.7eVの可視領域の広いピークが認められた。不定比構造を示す2.67eV青色放射は4.0wt%ドープのAZO薄膜にのみ認められた。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜 , 半導体のルミネセンス , 半導体結晶の電気伝導 , 光物性一般

引用文献 (16件)：

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太陽電池用にRFマグネトロンスパッタしたZnO:Al薄膜に対するAl2O3ドーピング濃度の影響

太陽電池用にRFマグネトロンスパッタしたZnO:Al薄膜に対するAl₂O₃ドーピング濃度の影響