文献

J-GLOBAL ID：200902294809161035   整理番号：08A0996378

単結晶Pt膜上に成長させたPbTiO₃ナノ島と薄膜のエピタキシャル成長と強誘電特性

Epitaxial Growth and Ferroelectric Properties of PbTiO₃ Nanoislands and Thin Films Grown on Single-Crystalline Pt Films

著者 (4件)： FUJISAWA Hironori (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  SEIOH Yoshihiro (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  KUME Masayoshi (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN) ,  SHIMIZU Masaru (Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 9 Issue 2  ページ： 7505-7509  発行年： 2008年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： rfマグネトロンスパッタリングによりSrTiO₃(100)基板上にIrバッファ層を使用して面が原子的に平坦で15~60nm厚みの単結晶Pt(SC-Pt)膜をコヒーレント成長させた。SC-Pt膜上への有機金属化学気相蒸着によるPbTiO₃膜のエピタキシャル成長で,初期成長段階は高さが3~30nmで幅が30~200nmの方形ナノ島が自己組織化成長し,引き続き連続膜が形成されてVolmer-Weber成長モードを示している。SC-Pt膜上に連続PbTiO₃膜を形成するのに必要な最小厚みは50nmであり,部分緩和したPt膜上での厚み100nmよりも薄かった。圧電応答力顕微鏡により,高さ100nm以上のPbTiO₃ナノ島での圧電定数はアスペクト比よりも高さに依存し,圧電定数の固有サイズ効果を示唆していることが分かった。連続PbTiO₃膜は厚み50nmまで残留分極が57~64μC/cm²で,抗電場が166~275kV/cmの飽和ヒステリシス曲線を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  *チタン酸鉛 ,  MOCVD ,  自己組織化 ,  ナノ構造 ,  島状構造 ,  凝集 ,  連続性 ,  誘電体薄膜 ,  *薄膜成長 ,  厚み ,  アスペクト比 ,  定数 ,  残留分極 ,  抗電場 ,  単結晶 ,  白金電極 ,  圧電定数
準シソーラス用語： Volmer-Weber成長

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (28件)：

• C. B. Eom, R. J. Cava, R. M. Fleming, J. M. Philips, R. B. Dover, J. H. Marshall, J. W. P. Hsu, J. J. Krajewski, and W. F. Peck, Jr.: Science 258(1992)1766.
• R. A. Rao, Q. Gan, and C. B. Eom: Appl. Phys. Lett.71(1997)1171.
• M. de Keijser, G. J. M. Dormans, P. J. van Veldhoven, and D. M. de Leeuw: Appl. Phys. Lett.59(1991)3556.
• W. J. Takei, N. P. Formigoni, and M. H. Francombe: Appl. Phys. Lett.15(1969)256.
• Y. Sakashita, H. Segawa, K. Tominaga, and M. Okada: J. Appl. Phys.73(1993)7857.

タイトルに関連する用語 (7件)： 単結晶 ,  Pt ,  成長 ,  ナノ島 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  強誘電特性