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J-GLOBAL ID：200902294830093430   整理番号：04A0368627

XeF₂に曝露した3C-SiCの表面特性評価

Surface Characterization of 3C-SiC Exposed to XeF₂

著者 (8件)： WATANABE M (NGK Insulators, Ltd., Nagoya, JPN) ,  MORI Y (NGK Insulators, Ltd., Nagoya, JPN) ,  SAKAI H (NGK Insulators, Ltd., Nagoya, JPN) ,  IIDA T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KOIDE S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MAETA E (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAWABE K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SHOBATAKE K (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 3A  ページ： L346-L348  発行年： 2004年03月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： T_s=300から800Kの試料温度範囲...

シソーラス用語： *フッ化キセノン ,...
準シソーラス用語： 走査Auger顕微鏡

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分類 (1件)： その他の無触媒反応  (CB06070U)

引用文献 (15件)：

• 1) I. Perez-Wurfl, R. Krutsinger, J. T. Torvik and B. Van Zeghbroeck: Solid-State Electron. 47 (2003) 229.
• 2) K. Isoird, M. Lazar, L. Ottaviani, M. L. Locatelli, C. Raynaud, D. Planson and J. P. Chante: Appl. Surf. Sci. 184 (2001) 477.
• 3) J. J. Wang, E. S. Lambers, S. J. Pearton, M. Ostling, C.-M. Zetterling, J. M. Grow, F. Ren and R. J. Shul: Solid-State Electron. 42 (1998) 2283.
• 4) A. L. Syrkin, J. M. Bluet, J. Camassel and R. Bonnot: Mater. Sci. Eng. B 46 (1997) 374.
• 5) Z. Y. Xie, C. H. Wei, L. Y. Li, Q. M. Yu and J. H. Edgar: J. Cryst. Growth 217 (2000) 115.

タイトルに関連する用語 (5件)： XeF2 ,  曝露 ,  3C-SiC ,  表面特性 ,  評価