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J-GLOBAL ID：200902295012892685   整理番号：05A0491998

基板結晶 溶液成長法によるAlN単結晶の育成

Growth of Single Crystalline AlN by Solution Growth Technique

著者 (3件)： 亀井一人 (住友金属工業 総技研) ,  井上茂 (住友金属工業 総技研) ,  伊藤豊 (東大 生産技研)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 32  号： 1  ページ： 20-23  発行年： 2005年03月31日 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 6.2Vの直接遷移型バンドギャップを持つAlN単結晶の溶液成...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...
準シソーラス用語： TEM【顕微鏡】

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分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (15件)：

• 1) LEVINSHTEIN M. E. PROPETIES OF ADVANCED SEMICONDUCTOR MATERIALS. JOHN WILEY & SONS, INC.. (2000) vol.31,
• 2) SLACK G. A. J. Crystal Growth. (1977) vol.42, p.560.
• 3) ROJO J. C. Mat. Res. Soc. Proc.. (2002) vol.722,
• 4) 田中素之. 日本結晶成長学会誌. (1998) vol.25, p.163.
• 5) SHI Y. J. Crystal Growth. (2001) vol.233, p.177.

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶 ,  溶液成長 ,  AlN ,  単結晶の育成