定格1.7kVの4H-SiCパワー金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタとショットキーバリヤーダイオードの評価

MIURA Naruhisa; YOSHIDA Shohei; NAKAO Yukiyasu; MATSUNO Yoshinori; KURODA Ken-ichi; WATANABE Shoyu; IMAIZUMI Masayuki; SUMITANI Hiroaki; YAMAMOTO Hidekazu; OOMORI Tatsuo

文献

J-GLOBAL ID：200902295675508110 整理番号：09A0458565

定格1.7kVの4H-SiCパワー金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタとショットキーバリヤーダイオードの評価

4H-SiC Power Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistors and Schottky Barrier Diodes of 1.7kV Rating

出版者サイト {{ this.onShowPLink() }} 複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=09A0458565&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=09A0458565&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (10件)： , , , , , , , , ,
資料名：
巻： 48 号： 4,Issue 2 ページ： 04C085.1-04C085.4 発行年： 2009年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

定格10A/1.7kVの4H-SiC 金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とショットキーバリヤーダイオード(SBDs)を製作し,評価した。ドリフト層と接合部終端の適当なデザインは,1.8kVの安定した雪崩破壊を実現した。MOSFETで8.3mΩcm²と,SBDで2.2mΩcm²の比較的低いオン抵抗をうまく記録した。SBDの静的特性の温度依存は雪崩破壊電圧と微分オン抵抗の両方で正の温度係数を示した。MOSFETとSBDをSiCモジュールに組み立てた。ダイナミック評価は,穏やかなスイッチ条件下の従来のSi対応物のスイッチ損失と比較しSiC モジュールのスイッチ損失低減が,86%もあることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

, , , , ,

トランジスタ , ダイオード

引用文献 (14件)：

N. Miura, K. Fujihira, Y. Nakao, T. Watanabe, Y. Tarui, S. Kinouchi, M. Imaizumi, and T. Oomori: Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 2006, p. 261.
S. Kinouchi, H. Nakatake, T. Kitamura, S. Azuma, S. Tominaga, S. Nakata, Y. Nakao, T. Oi, and T. Oomori: Proc. Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials, 2007, Mo-2B-2.
S. Nakata, S. Kinouchi, T. Sawada, T. Oi, and T. Oomori: Proc. European Conf. Silicon Carbide and Related Materials, 2008, WeP-65.
S. Harada, M. Kato, K. Suzuki, M. Okamoto, T. Yatsuo, K. Fukuda, and K. Arai: IEDM Tech. Dig., 2007, p. 35.1.
T. Nakamura: Proc. European Conf. Silicon Carbide and Related Materials, 2008, We3-1.

, , , , ,

前のページに戻る