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J-GLOBAL ID：200902296375739575   整理番号：06A0749696

運動磁壁を用いた磁気メモリおよび電流増幅素子

Magnetic memory and current amplification devices using moving domain walls

著者 (3件)： BARNES S. E. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, Japan and Physics Dep., Univ. of Miami, Coral Gables ...) ,  IEDA J. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, Japan and CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST) ...) ,  MAEKAWA S. (Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai 980-8577, Japan and CREST, Japan Sci. and Technol. Agency (JST) ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 89  号： 12  ページ： 122507-122507-3  発行年： 2006年09月18日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 運動する磁壁は起電力(emf)を誘起する。したがって,磁気メ...

シソーラス用語： *磁気メモリ ,...
準シソーラス用語： 磁気論理回路 ,...

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分類 (3件)： 磁区・磁化過程一般  (BM06111M) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F) ,  磁電デバイス  (NC03100X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 運動 ,  磁壁 ,  磁気メモリ ,  増幅素子