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J-GLOBAL ID：200902296654222906   整理番号：09A0347507

オクタデシルトリメトキシシランにより改質した参照電界トランジスタの表面モルホロジーがイオン応答に及ぼす効果

Effect of Surface Morphology of Reference Field Effect Transistor Modified by Octadecyltrimethoxysilane on Ionic Responses

著者 (5件)： KUROIWA Shigeki (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  WANG Jinping (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SATAKE Daisuke (HORIBA, Ltd., Kyoto, JPN) ,  NOMURA Satoshi (HORIBA, Ltd., Kyoto, JPN) ,  OSAKA Tetsuya (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 156  号： 4  ページ： J67-J72  発行年： 2009年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電界効果トランジスタ(FET)バイオセンサの参照FETとしての,光アドレサブル(光電流)電位差計センサ(LAPS)及びFET(いずれもSi/SiO₂ MOS構造)のpH及びイオン応答に表面モルホロジーが及ぼす効果を調べた。蒸着条件を変えてSiO₂上にオクタデシルシラン(ODS)の自己集合単分子層(SAM)を化学蒸着してからMOS構造を作製した。SAMの表面モルホロジーは原子間力顕微鏡と接触角測定により評価した。pH応答とイオン応答は接触角に強く依存した。ODS-SAM-LAPSはpHには鈍感(-1.5mV/pH)で,イオン強度には敏感であるが,接触角が増大するにつれてpH応答は強まり,イオン強度応答は弱まった。ODS-SAM-FETではpH応答及びイオン応答と接触角との相関は弱かったが,接触角が増大するにつれてpH応答は弱まり,イオン強度応答は強まった。これらの結果から,ODS-SAMを参照FETに適用する際には,その表面モルホロジーの制御が重要であることが分かった。

シソーラス用語： *バイオセンサ ,  *MOSFET ,  *表面改質 ,  *表面性状 ,  単分子層 ,  接触角 ,  pH【水素イオン指数】 ,  イオン強度 ,  感度 ,  光電流 ,  pH依存性 ,  自己集合単分子膜 ,  検出能
準シソーラス用語： 自己集合単分子層 ,  検出感度

分類 (1件)： 分析機器  (CC02020S)

物質索引 (1件)： オクタデシルシラン

タイトルに関連する用語 (8件)： オクタデシルトリメトキシシラン ,  改質 ,  参照 ,  電界 ,  トランジスタ ,  表面モルホロジー ,  イオン ,  応答