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J-GLOBAL ID：200902296678477611   整理番号：04A0067543

不整合転位を含むSiGe/Siヘテロ構造系に対する成長モードの相図

Phase diagram of growth mode for the SiGe/Si heterostructure system with misfit dislocations

著者 (6件)： NAKAJIMA K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  UJIHARA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  USAMI N (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  FUJIWARA K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAZAKI G (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHISHIDO T (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 260  号： 3/4  ページ： 372-383  発行年： 2004年01月09日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三種のシンプルな基本的構造に基づいて,Frank-van d...

シソーラス用語： *薄膜成長 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 不整合転位 ,  SiGe ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  成長モード ,  相図