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J-GLOBAL ID：200902297332066999   整理番号：04A0035427

パルスレーザ蒸着によって作製した低抵抗率の透明導電性AlドープZnO膜

Low resistivity transparent conducting Al-doped ZnO films prepared by pulsed laser deposition

著者 (5件)： AGURA H (Osaka Sangyo Univ., Osaka, JPN) ,  SUZUKI A (Osaka Sangyo Univ., Osaka, JPN) ,  MATSUSHITA T (Osaka Sangyo Univ., Osaka, JPN) ,  AOKI T (Osaka Sangyo Univ., Osaka, JPN) ,  OKUDA M (Osaka Prefecture Univ., Osaka, JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 445  号： 2  ページ： 263-267  発行年： 2003年12月15日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AZO(Al₂O<sub>3</sub...

シソーラス用語： パルスレーザ照射 ,...

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分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザ蒸着 ,  作製 ,  低抵抗 ,  導電性 ,  AlドープZnO