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J-GLOBAL ID：200902298842359660   整理番号：05A0831642

プラズマプロセスによるカーボンナノチューブ配向成長の現状と課題 4.先端放電型マイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ配向成長

Synthesis of Aligned Single-Walled Carbon Nanotubes by Point-Arc Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition

著者 (4件)： 岩崎孝之 (早稲田大 理工) ,  ZHONG Goufang (早稲田大 理工) ,  大泊巌 (早稲田大 理工) ,  川原田洋 (早稲田大 理工)
資料名： プラズマ・核融合学会誌  (Journal of Plasma and Fusion Research)
巻： 81  号： 9  ページ： 665-668  発行年： 2005年09月25日 
JST資料番号： G0114A  ISSN： 0918-7928  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 単層カーボンナノチューブの成長方向の制御は,電界効果トランジ...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...

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分類 (1件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

引用文献 (19件)：

• [1] S.J. Tans et al., Nature 393, 49 (1998).
• [2] S.J. Wind et al., Appl. Phys. Lett. 80, 3817 (2002).
• [3] A. Javey et al., Nano Lett. 2, 929 (2002).
• [4] A.P. Graham et al., Diamond and Relat. Mater. 13, 1296 (2004).
• [5] M. Nihei et al., Jpn. J. Appl. Phys. 43, 1856 (2004).

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマプロセス ,  カーボンナノチューブ ,  配向 ,  成長 ,  現状 ,  マイクロ波プラズマCVD ,  単層カーボンナノチューブ