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J-GLOBAL ID:200902299799793773   整理番号:04A0591657

内部光電子放出によるほう素ドープP型水素化非晶質けい素と結晶けい素との界面でのバンド整列

Band Lineup at the Interface between Boron-Doped P-Type Hydrogenated Amorphous Silicon and Crystalline Silicon Studied by Internal Photoemission
著者 (3件):
資料名:
巻: 43  号: 7B  ページ: L954-L956  発行年: 2004年07月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
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13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  ,  半導体結晶の電子構造 
引用文献 (20件):
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