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J-GLOBAL ID：200902299799793773   整理番号：04A0591657

内部光電子放出によるほう素ドープP型水素化非晶質けい素と結晶けい素との界面でのバンド整列

Band Lineup at the Interface between Boron-Doped P-Type Hydrogenated Amorphous Silicon and Crystalline Silicon Studied by Internal Photoemission

著者 (3件)： SAKATA I (AIST, Ibaraki, JPN) ,  YAMANAKA M (AIST, Ibaraki, JPN) ,  SHIMOKAWA R (AIST, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 7B  ページ： L954-L956  発行年： 2004年07月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほう素ドープP型水素化非晶質けい素(a-Si:H)と結晶けい...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 伝導帯 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (20件)：

• 1) H. Matsuura and H. Okushi: Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices Volume II, ed. J. Kanicki (Artech House, Boston, 1992) p. 517.
• 2) H. Mimura and Y. Hatanaka: Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 326.
• 3) H. Eschrich, J. Bruns, L. Elstner and C. Swiatkowski: J. Non-Cryst. Solids 164–166 (1993) 717.
• 4) M. Sebastiani, L. Di Gaspare, G. Capellini, C. Bittencourt and F. Evangelisti: Phys. Rev. Lett. 75 (1995) 3352.
• 5) S. Gall, R. Hirschauer, M. Kolter and D. Braunig: Sol. Energy Mater. and Sol. Cells 49 (1997) 157.

タイトルに関連する用語 (8件)： 光電子放出 ,  ほう素 ,  ドープ ,  水素化 ,  非晶質けい素 ,  結晶けい素 ,  界面 ,  バンド整列