不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350841
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168306
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】浮遊ゲート間の電荷移動によるデータ破壊を防止して信頼性向上を図った不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】シリコン基板1にストライブ状の素子形成領域2を区画する素子分離絶縁膜4が埋め込まれる。この基板1に第1のゲート絶縁膜5を介して浮遊ゲート6が形成され、更に第2のゲート絶縁膜7を介して制御ゲート8が形成される。制御ゲート8に自己整合的にソース、ドレイン拡散層12が形成される。浮遊ゲート6上の第2のゲート絶縁膜7は、浮遊ゲート6と共に、素子分離絶縁膜4上でスリット13により隣接するメモリセル間で分離される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板に素子分離絶縁膜により区画された複数の素子形成領域と、前記各素子形成領域に第1のゲート絶縁膜を介して各素子形成領域毎に分離されて形成された浮遊ゲートと、この浮遊ゲート上に形成されて素子分離絶縁膜上で切断分離された第2のゲート絶縁膜と、この第2のゲート絶縁膜を介して前記浮遊ゲート上に形成された制御ゲートと、この制御ゲートに自己整合されて形成されたソース、ドレイン拡散層と、を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (40件)：

5F001AA25 , 5F001AA43 , 5F001AA63 , 5F001AB08 , 5F001AD51 , 5F001AD52 , 5F001AD60 , 5F001AF06 , 5F001AG02 , 5F001AG07 , 5F001AG12 , 5F001AG21 , 5F001AG30 , 5F083EP02 , 5F083EP27 , 5F083EP55 , 5F083ER21 , 5F083GA11 , 5F083JA04 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083KA05 , 5F083NA01 , 5F083PR12 , 5F083PR29 , 5F083PR33 , 5F101BA07 , 5F101BA28 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD32 , 5F101BD33 , 5F101BD35 , 5F101BF02 , 5F101BH02 , 5F101BH03 , 5F101BH09 , 5F101BH16 , 5F101BH19

引用特許：

審査官引用 (6件)

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-187539 出願人：株式会社東芝
不揮発性半導体記憶装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-014942 出願人：日本電気株式会社
特開平3-099473

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