薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-273615
公開番号（公開出願番号）：特開平9-090427
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】低抵抗の信号線を有した、高開口率のTFT-LCD(薄膜トランジスタ液晶表示装置の提供。【解決手段】互いに分離されたソース・ドレイン電極の一方を透明電極材料、他方のソース・ドレイン電極を金属、または金属と透明電極材料との多層構造と、した電界効果型絶縁ゲート薄膜トランジスタを用いる。

請求項（抜粋）：

互いに分離された二つのソース・ドレイン電極を有し、一方のソース・ドレイン電極を透明電極材料とし、他方のソース・ドレイン電極を金属としたことを特徴とする電界効果型絶縁ゲート薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 616 K

引用特許：

審査官引用 (6件)

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