特許
J-GLOBAL ID：200903000053693720

スピン伝導素子

発明者：
水島 公一

水島 公一 について

, 
佐藤 利江

佐藤 利江 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267626
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094172
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】 強磁性電極から他の電極へスピン偏極率の大きい電子を注入することができるトンネル接合部を持ったスピン伝導素子を提供する。【解決手段】 強磁性電極(37)からスピン偏極した電子を絶縁体または半導体からなるトンネルバリアー層(36)を介して、常磁性金属、強磁性金属または半導体からなる他の電極(33)へトンネル注入する構造を有し、トンネルバリアー層(36)のバリアー高さが、強磁性電極(37)のフェルミ準位の上方でより高く、フェルミ準位の下方でより低いスピン伝導素子。
請求項（抜粋）：
強磁性電極からスピン偏極した電子を絶縁体または半導体からなるトンネルバリアー層を介して、常磁性金属、強磁性金属または半導体からなる他の電極へトンネル注入する構造を有するスピン伝導素子において、前記トンネルバリアー層のバリアー高さが、強磁性電極のフェルミ準位の上方でより高く、フェルミ準位の下方でより低いことを特徴とするスピン伝導素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 451
FI (4件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 451
Fターム (12件)：
5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA06 ,  5F083JA39
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (2件)
  • 磁気抵抗効果素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-242468   出願人：株式会社東芝
  • 磁気抵抗効果素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-053065   出願人：ティーディーケイ株式会社

前のページに戻る

TOP

BOTTOM