特許
J-GLOBAL ID：200903000055412710
荷電ビーム描画方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217554
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063930
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 低加速電圧の荷電ビーム描画装置でマスク基板上で所望のパターン寸法よりも寸法の小さな光近接効果補正用の補助パターンを形成する。【解決手段】 荷電ビームを走査して試料上に所望のパターンを描画するに際して、所望のパターンの角、あるいは辺、あるいは所望の箇所に所望の形状の補助パターンを配置して所望のパターンと補助パターンを描画する荷電ビーム描画方法において、補助パターンと所望のパターンとを描画に用いる描画データ上で識別可能として、所望のパターンと補助パターンとを別々に細めあるいは太め処理を施して、補助パターンと所望のパターンからなる描画データを用いて描画する。また描画時に描画データから補助パターンを識別して、補助パターンを所望のパターンより照射量を増やして描画する。描画時に描画データから補助パターンを識別して、補助はパターンを所望のパターンよりも回数を多く描画する。
請求項（抜粋）：
荷電ビームを走査して試料上に回路素子に関する所望のパターンを描画する荷電ビーム描画方法において、所定角、所定辺を有する所定形状をウェハ上に光投影露光装置等により転写するため、そのウェハ上の形状を所定の倍率で拡大した形状を備えるマスク上の所望のパターンに関する第1の描画データを作成するステップと;前記マスク上の所望のパターンを光投影露光装置により縮小してウェハ上に転写する際に、前記所望のパターンにおける角および辺を含むウェハ上での所望の形状が不鮮明になるのを防ぐために設けられるマスク上の所望の形状の補助パターンに関する第2の描画データを作成するステップと;前記第1の描画データと第2の描画データを併せてマスク描画データとして、前記所望のパターンと前記補助パターンとをマスク描画データ上で識別するステップと;前記ステップにより識別された結果に基づいて前記所望のパターンと前記補助パターンとを識別して、前記所望のパターンと前記補助パターンとをマスク上に荷電ビームにより描画する際に、前記所望のパターンと前記補助パターンとで荷電ビームの照射量比率を適宜変化させて描画するステップと; を備えることを特徴とする荷電ビーム描画方法。
FI (2件)：
H01L 21/30 541 M
, H01L 21/30 541 J
