特許
J-GLOBAL ID：200903000064845425
大気開放型化学気相析出装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
吉井 剛
, 吉井 雅栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-149200
公開番号（公開出願番号）：特開2005-330532
出願日： 2004年05月19日
公開日（公表日）： 2005年12月02日
要約：
【課題】 大面積の基板に均一な金軸酸化物膜を形成できる極めて実用性に秀れた大気開放型化学気相析出装置を提供することである。【解決手段】 成膜室に、加熱板1によって保持される基板2と、気化させた成膜材料とキャリアーガスとから成る材料ガスを前記基板2に吹き付ける噴霧手段3とを夫々対向状態に設け、大気開放下で前記加熱板1によって加熱される前記基板2に、前記噴霧手段3から前記材料ガスを吹き付けることで酸化物膜を成膜する大気開放型化学気相析出装置において、前記加熱板1を、金属酸化物,金属窒化物若しくは金属炭化物で形成して、この加熱板1の熱膨張率を、前記基板2を前記加熱板1により加熱して成膜を行う際、前記基板2に成膜される酸化物膜の劣化を阻止し得る熱膨張率としたものである。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
成膜室に、加熱板によって保持される基板と、気化させた成膜材料とキャリアーガスとから成る材料ガスを前記基板に吹き付ける噴霧手段とを夫々対向状態に設け、大気開放下で前記加熱板によって加熱される前記基板に、前記噴霧手段から前記材料ガスを吹き付けることで酸化物膜を成膜する大気開放型化学気相析出装置において、前記加熱板を、金属酸化物,金属窒化物若しくは金属炭化物で形成して、この加熱板の熱膨張率を、前記基板を前記加熱板により加熱して成膜を行う際、前記基板に成膜される酸化物膜の劣化を阻止し得る熱膨張率としたことを特徴とする大気開放型化学気相析出装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C16/44 A
, H01L21/31 B
4K030AA18
, 4K030EA04
, 4K030FA10
, 4K030JA09
, 4K030KA22
, 4K030KA23
, 4K030KA46
, 5F045AA03
, 5F045AB31
, 5F045AE29
, 5F045DP03
, 5F045DQ10
, 5F045EF05
, 5F045EK14
, 5F045EM09
出願人引用 (3件)
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特開昭57-118002号公報
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無機薄膜/高分子材料積層品の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-018312
出願人：旭化成工業株式会社, 斎藤秀俊
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特開平3-253570号公報
審査官引用 (3件)
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