特許

J-GLOBAL ID：200903000114648189

酸化物半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 川崎 雅司 ,  齊藤 肇
出願人/特許権者： シャープ株式会社 ,  川崎 雅司
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-302208
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110142
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 電気・発光特性に優れた発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 ZnO発光ダイオード100は、p-ZnO層103と、このp-ZnO層103上に形成されたp型オーミック電極105とを備えている。p型オーミック電極105はNiからなっている。

請求項（抜粋）：

母体元素として少なくともZnを含むp型酸化物半導体層と、上記p型酸化物半導体層に接するようにして設けられたp型電極とを備え、上記p型電極がNi、CoおよびCuからなる群から選択された少なくとも1種類を含有する金属薄膜からなることを特徴とする酸化物半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 D

Fターム (11件)：

5F041AA21 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA67 ,  5F041CA73 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA98

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-351051   出願人：スタンレー電気株式会社
• 半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-082043   出願人：科学技術振興事業団