特許
J-GLOBAL ID：200903000159899565

感光性積層体及びそれを用いたレジストパターン形成方法

発明者：
新田 和行

新田 和行 について

, 
中緒 卓

中緒 卓 について

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志村 英一

志村 英一 について

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藤田 正一

藤田 正一 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-165726
公開番号（公開出願番号）：特開2002-357903
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月13日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 孤立電子対をもつ原子を含む層の上にレジストパターンを形成する際に、これらの層とレジスト層との境界におけるフッティングの発生を防止しうる感光性積層体の提供。【解決手段】 基板上に孤立電子対をもつ原子を含む層を介して化学増幅型ポジ型レジスト層を設けた感光性積層体であって、該化学増幅型ポジ型レジスト組成物が、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂(A)水酸基の35%の水素原子が1-エトキシ-1-エチル基で置換された質量平均分子量12,000、分散度1.2のポリヒドロキシスチレン18質量部(B)配合して形成した膜について2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により、23°Cにおいて1分間処理したとき、その膜減量が0.6nm/秒以上になる酸発生剤5質量部、及び(C)アミンを含有した感光性積層体。
請求項１：
基板上に孤立電子対をもつ原子を含む層を介して化学増幅型ポジ型レジスト層を設けた感光性積層体であって、該化学増幅型ポジ型レジスト組成物が、(A)(a1)ヒドロキシスチレン又はα-メチルヒドロキシスチレン単位と、(a2)ヒドロキシスチレン又はα-メチルヒドロキシスチレンの水酸基の水素原子が低級アルコキシアルキル基で置換された単位とを含む、酸の作用によりアルカリに対する溶解性が増大する樹脂成分、(B)活性光線の照射により酸を発生しうる酸発生剤であって、水酸基の35%の水素原子が1-エトキシ-1-エチル基で置換された質量平均分子量12,000、分散度1.2のポリヒドロキシスチレン18質量部に対し該酸発生剤を5質量部の割合で配合して形成した膜について2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により、23°Cにおいて1分間処理したとき、その膜減量が0.6nm/秒以上になる酸発生剤、及び(C)アミンを含有することを特徴とする感光性積層体。
IPC (5件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/26 501 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (22件)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025DA40 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096BA20 ,  2H096CA05 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096LA16 ,  2H096LA17
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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