特許
J-GLOBAL ID：200903002472262554
新規ポリマー
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-035572
公開番号（公開出願番号）：特開平10-053621
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】解像性能、パターン側壁、焦点深度余裕度、処理時間経過に対するパターン寸法の変化、基板依存性の良好なポリマー。【解決手段】式[1][式中、R1びR2は水素原子又は低級アルキル基を表し、R3及びR4は水素原子又はハロゲンで置換されていてもよいアルキル基を表し、また、両者が結合してアルキレン環を形成していてもよい、R5はハロゲンで置換されていてもよいアルキル基又はアラルキル基を表し、R6は置換基を有していてもよいフェニル基、アルキル基で置換されていてもよいカルボキシル基又はシアノ基を表し、m及びnは1以上の整数を表し、kは0又は1以上の整数を表す{但し、0.1≦(m+k)/(m+n+k)≦0.9であり、且つ0≦k/(m+n+k)≦0.25である。}。]で表される構造を有し、分散度が1以上1.5未満であるポリマー、及びこれを含んでなるレジスト材料。
請求項（抜粋）：
一般式[1]【化1】[式中、R1びR2は夫々独立して水素原子又は低級アルキル基を表し、R3及びR4は夫々独立して水素原子又はハロゲンで置換されていてもよいアルキル基を表し、また、両者が結合してアルキレン環を形成していてもよい(但し、R3及びR4が共に水素原子の場合は除く。)、R5はハロゲンで置換されていてもよいアルキル基又はアラルキル基を表し、R6は置換基を有していてもよいフェニル基、アルキル基で置換されていてもよいカルボキシル基又はシアノ基を表し、m及びnは1以上の整数を表し、kは0又は1以上の整数を表す{但し、0.1≦(m+k)/(m+n+k)≦0.9であり、且つ0≦k/(m+n+k)≦0.25である。}。]で表される構造を有し、分散度が1以上1.5未満であるポリマー。
IPC (6件)：
C08F212/14 MJU
, C08K 5/41
, C08L 25/16 KGA
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 501
, H01L 21/027
C08F212/14 MJU
, C08K 5/41
, C08L 25/16 KGA
, G03F 7/004 503
, G03F 7/039 501
, H01L 21/30 502 R
