特許
J-GLOBAL ID：200903000196476798
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018995
公開番号（公開出願番号）：特開平9-214048
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 光の活性層外へのしみ出し量を抑制しつつ、ストライプ窓を通る垂直方向の光強度分布を広げて、垂直方向の光閉じ込め係数を維持したままで垂直方向のレーザ光のビーム放射角を低減することができるようにする。【解決手段】 GaAs基板1の上に、GaAsバッファ層2、第2クラッド層3、第3低屈折率層4、量子井戸構造の活性層5、第1低屈折率層6、光ガイド層7及び電流ブロック層8が順次形成され、光ガイド層7と電流ブロック層8との上に第2低屈折率層9、第1クラッド層10及びコンタクト層11が順次形成されている。第2クラッド層3、第3低屈折率層4、第1低屈折率層6、電流ブロック層8、第2低屈折率層9及び第1クラッド層10の各層は、それぞれAlAs混晶比がXc2,Xl3,Xl1,Xb ,Xl2及びXc1のGaAlAs混晶体により構成されており、混晶比の間にXb >Xl1≧Xl2>Xc1,Xb >Xl3>Xc2の関係が成立している。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面上に活性層を設け、該活性層を挾んで両側に2つのクラッド層を設けるとともに、前記各層に亘るストライプ領域を形成するようにした半導体レーザ装置において、前記活性層と前記2つのクラッド層のうち少なくともいずれか一方のクラッド層との間に、第1導電型かつ屈折率nl1の半導体からなる第1低屈折率層と、前記ストライプ領域を規定するためのストライプ窓を有するように形成され、前記第1導電型とは逆導電型の第2導電型かつ屈折率nb の半導体からなる電流ブロック層と、一部が前記ストライプ窓の内部を満たすように形成され、第1導電型かつ屈折率nl2の半導体からなる第2低屈折率層とを前記活性層の側から順次介在させるとともに、前記活性層の屈折率をna 、前記少なくともいずれか一方のクラッド層の屈折率をnc1としたときに、各層の屈折率na ,nl1,nb ,nl2,及びnc1の間に、nb <nl1≦nl2<nc1<na の関係が成立していることを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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