特許
J-GLOBAL ID：200903053298843007
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-331498
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196801
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 光ディスク等の光源として用いる780nm帯で、低動作電流、低雑音特性の半導体レーザ装置および、その製造方法を提供する。【構成】 活性層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のGa1ーY1AlY1As第一光ガイド層、Ga1ーY2AlY2Asあるいは、In0.5Ga0.5P、In0.5(GaAl)0.5P、InGaAsP第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記Ga1ーY2AlY2As第二光ガイド層上には、これとは逆導電型でストライプ状の窓を有するGa1ーZAlZAs電流ブロック層が形成されており、前記ストライプ状の窓には前記光ガイド層と同じ導電型のGa1ーY3AlY3Asクラッド層を備えてなる。ここで、AlAs混晶比、Y1、Y2,Y3およびZは、Z>Y3>Y2、Y1>Y2の関係を有している。
請求項（抜粋）：
活性層となるGa1-XAlXAs層の主面の少なくとも一方の側に、一導電型のGa1-Y1AlY1As第一光ガイド層、Ga1-Y2AlY2As第二光ガイド層を順次、備えるとともに、前記第二光ガイド層上に、これとは逆の導電型でストライプ状の窓を有するGa1-ZAlZAs層が形成されており、前記ストライプ状の窓には、前記光ガイド層と同じ導電型のGa1-Y3AlY3As層を備えてなり、AlAs混晶比、X、Y1、Y2、Y3およびZの間に、Z>Y3>Y2>X≧0、Y1>Y2の関係を成立させたことを特徴とする半導体レーザ装置。
引用特許：
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