特許
J-GLOBAL ID：200903000197190979
張り合わせ基板およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-217367
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044085
出願日： 1999年07月30日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 デバイス作製側を無欠陥化し、電気的特性を高めた張り合わせ基板とその製造方法を提供する。【解決手段】 通常条件で張り合わされ、さらに張り合わせ熱処理された張り合わせシリコン基板13をアニール炉の石英反応管に装入し、水素ガスの雰囲気中で1200°C、1時間加熱処理する。この結果、活性層用ウェーハ11中に存在する酸素が大きく外方拡散される。ウェーハ表面での酸素の気相中への拡散が増大するためと考えられる。水素アニール処理により、活性層用ウェーハ11の酸素濃度が大きく低減される結果、ウェーハ11中の酸素誘起積層欠陥OSFがほぼ完全に消失し、無欠陥化される。よって、酸化膜耐圧特性などの電気的特性を高めることができる。
請求項（抜粋）：
活性層となる第1のシリコンウェーハと支持基板となる第2のシリコンウェーハとを張り合わせて作製された張り合わせ基板であって、上記第1のシリコンウェーハには水素アニール処理が施された張り合わせ基板。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/324
, H01L 27/12
H01L 21/02 B
, H01L 21/324 X
, H01L 27/12 B
