SOIウエーハの熱処理方法およびSOIウエーハ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318896
公開番号（公開出願番号）：特開平11-145020
出願日： 1997年11月05日
公開日（公表日）： 1999年05月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 SOI層及び埋め込み酸化膜がエッチングされることなく、水素アニール法によって、SOIウエーハのSOI層のCOPを消滅させることができる熱処理方法を提供する。【解決手段】 SOIウエーハを還元性雰囲気中で熱処理する方法において、急速加熱・急速冷却装置を用いて1100〜1300°Cの温度範囲で、1〜60秒間熱処理をするSOIウエーハの熱処理方法であり、前記還元性雰囲気を100%水素雰囲気、或は水素とアルゴンの混合雰囲気とし、熱処理時間を好ましくは1〜30秒とする。

請求項（抜粋）：

SOIウエーハを還元性雰囲気中で熱処理する方法において、急速加熱・急速冷却装置を用いて1100〜1300°Cの温度範囲で、1〜60秒間熱処理をすることを特徴とするSOIウエーハの熱処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 , H01L 21/324 , H01L 27/12 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/02 B , H01L 21/324 X , H01L 27/12 Z , H01L 21/316 P

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-211616 出願人：株式会社東芝
特開昭62-123098
貼り合わせ半導体基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-316681 出願人：富士通株式会社

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