特許
J-GLOBAL ID：200903000222851012
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-192723
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045766
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【目的】 高濃度のホウ素を含むBPSG膜を用いて平坦な層間絶縁膜を形成するデバイスにおいて、BPSG膜と他の絶縁膜との界面に発生したクラックを通じて水分などの異物がチップ内部に達するのを防止する。【構成】 半導体チップ1の主面の外周部に沿って形成されたガードリングGRのさらに外側に、その底部が少なくとも層間絶縁膜23とその下層のBPSG膜20との界面よりも深い位置まで達するスリットSを形成し、高濃度のホウ素を含むBPSG膜20と層間絶縁膜23との界面に発生したクラックがこの界面に沿ってチップ内部へと進行するのをスリットSにより阻止する。
請求項（抜粋）：
半導体チップ上に堆積した層間絶縁膜の一部を、ホウ素を含有する酸化シリコン膜で構成した半導体集積回路装置であって、前記ホウ素を含有する酸化シリコン膜とその上層に堆積された層間絶縁膜との界面よりも深いスリットを前記半導体チップの周辺部に沿って設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (6件)：
H01L 21/768
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/08 331
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/90 R
, H01L 27/08 331 B
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 621 A
, H01L 27/10 681 F
, H01L 27/10 681 B
