特許

J-GLOBAL ID：200903000242788856

有機薄膜トランジスタ素子

発明者： 平井 桂 ,  片倉 利恵 ,  福田 光弘 ,  北 弘志
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-006863
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221318
出願日： 2003年01月15日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】非常に簡便で実質的な有機半導体チャネルのパターニングが可能で、性能が安定な有機TFT素子の製造方法を提供する。【解決手段】有機半導体前駆体層への光照射を行う工程を経て有機半導体層が形成された有機薄膜トランジスタ素子。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

有機半導体前駆体層への光照射を行う工程を経て有機半導体層が形成されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (2件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (24件)：

5F110AA30 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG41 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205794   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-205794   出願人：株式会社東芝

引用文献：

出願人引用 (4件)

• High-Performance, Solution-Processed Organic Thin Film Transistors from a Novel Pentacene Precursor
• Precursor route pentacene metal-insulator-semiconductor field-effect transistors
• A Soluble Pentacene Precursor: Synthesis, Solid-State Conversion into Pentacene and Application in a
• Evidence for the expulsion of bis-CO from bridged α-diketones

審査官引用 (4件)

• High-Performance, Solution-Processed Organic Thin Film Transistors from a Novel Pentacene Precursor
• Precursor route pentacene metal-insulator-semiconductor field-effect transistors
• A Soluble Pentacene Precursor: Synthesis, Solid-State Conversion into Pentacene and Application in a
• Evidence for the expulsion of bis-CO from bridged α-diketones