特許
J-GLOBAL ID：200903000303657539
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-252356
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097682
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜の信頼性を高め、素子特性や信頼性の向上をはかることを可能とする。【解決手段】 シリコン基板11上にハロゲン元素を含有したゲート絶縁膜14を介して形成されたゲート電極15と、ゲート電極15の両端部に対応して形成されたソース・ドレイン領域12、13とを有し、ソース・ドレイン領域12、13の少なくとも一方の近傍のゲート絶縁膜14に含有されたハロゲン元素の濃度がソース・ドレイン間中央部近傍のゲート絶縁膜14に含有されたハロゲン元素の濃度よりも高い。
請求項（抜粋）：
半導体上にハロゲン元素が含有された絶縁膜を介して形成された電極と、この電極の両端部に対応して形成された一対の不純物拡散領域とを有し、前記一対の不純物拡散領域の少なくとも一方の近傍の前記絶縁膜に含有されたハロゲン元素の濃度が前記一対の不純物拡散領域間中央部近傍の前記絶縁膜に含有されたハロゲン元素の濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 29/78 301 G
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
