特許

J-GLOBAL ID：200903000317471560

タングステンスパッタリングターゲット

発明者： 渡邊 光一 ,  渡辺 高志 ,  鈴木 幸伸 ,  藤岡 直美 ,  石上 隆 ,  高阪 泰郎 ,  小松 透
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-369989
公開番号（公開出願番号）：特開2003-171760
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】大型の基板上に成膜した場合においても、W膜の比抵抗の面内均一性を3%以下に低減することが可能となるタングステンスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】ターゲットの相対密度が99%以上であり、かつビッカース硬度が330Hv以上であり、かつターゲット全体のビッカース硬度のばらつきが30%以下であることを特徴とするタングステンスパッタリングターゲットである。

請求項（抜粋）：

ターゲットの相対密度が99%以上であり、かつビッカース硬度が330Hv以上であり、かつターゲット全体のビッカース硬度のばらつきが30%以下であることを特徴とするタングステンスパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C22C 27/04 101 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 27/04 101 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 S

Fターム (9件)：

4K029AA02 ,  4K029BA23 ,  4K029BD02 ,  4K029DC03 ,  4K029DC21 ,  4K029DC22 ,  4K029DC24 ,  4M104BB18 ,  4M104DD40

引用特許：

審査官引用 (5件)

• スパッターターゲット材及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-013072   出願人：東京タングステン株式会社
• タングステンまたはモリブデンターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-007153   出願人：日立金属株式会社
• スパッタリングターゲット及びその製作方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-140838   出願人：菱化マッセイ株式会社
• スパッタリングターゲットの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-306201   出願人：三菱化成株式会社
• 高融点金属スパッタターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-018400   出願人：東京タングステン株式会社