特許
J-GLOBAL ID：200903000323279859

成膜方法及び半導体装置の製造方法

発明者：
武田 勝利

武田 勝利 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-072906
公開番号（公開出願番号）：特開2003-273134
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 導電率が異なる酸化亜鉛膜を容易に成膜する成膜方法、及び該成膜方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ノンドープの酸化亜鉛ターゲットを用い、また、放電ガスとしてArガスと酸素ガスとを用い、スパッタ法によって酸化亜鉛膜を形成する。酸化亜鉛膜の導電率を連続的に増大(減少)させる場合は、成膜時の酸素ガスの分圧を連続的に減少(増加)させる。また、導電率が高い酸化亜鉛膜と低い酸化亜鉛膜とを交互に積層する場合は、酸素ガスの分圧を低くして酸化亜鉛膜を成膜し、次に、前記分圧を高くして前記酸化亜鉛膜上に新たな酸化亜鉛膜を成膜する。
請求項（抜粋）：
スパッタ法によって酸化亜鉛膜を形成する成膜方法において、ターゲットとしてノンドープの酸化亜鉛を用い、放電ガスとして不活性ガス、酸素ガス、又は不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスを用い、成膜中に酸素ガスの分圧を増減させることを特徴とする成膜方法。
IPC (8件)：
H01L 21/363 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  C23C 14/08
FI (8件)：
H01L 21/363 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/285 S ,  C23C 14/08 C ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 41/22 A ,  H01L 41/18 101 Z
Fターム (34件)：
4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BD02 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4M104AA09 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104DD40 ,  4M104DD41 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103LL07 ,  5F103LL13 ,  5F103RR08 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG04 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG37 ,  5F110GG43 ,  5F110HK03 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK28 ,  5F110HM15 ,  5F110QQ08
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)

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