特許
J-GLOBAL ID：200903000330503470
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-098995
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297789
出願日： 2002年04月01日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウエハの洗浄工程における異物除去率を向上させ、半導体装置の歩留まりを向上させる。【解決手段】 第2層配線M2上に、第2層配線M2の間隔を完全には埋め込まない程度の膜厚のTEOS膜14を形成し、ノズル101から5MPa以上の水圧で、純水をTEOS膜14の表面に噴射しつつ(ジェット洗浄)、ポリビニルアルコール(PVA)製などのブラシ103を半導体ウエハ表面に軽く押しつけながら回転・移動させ、その表面を洗浄する(ブラシ洗浄)。その結果、第2層配線M2の凹凸に対応した凹凸を有するTEOS膜14の表面の異物除去率を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
(a)半導体ウエハの上部に導電性膜を形成し前記導電性膜のパターニングを行う工程と、(b)前記導電性膜上に絶縁膜を形成する工程と、(c)前記絶縁膜上に4MPa以上の圧力で洗浄液を噴射しながら、前記絶縁膜をブラッシングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 644
, H01L 21/304 643
H01L 21/304 644 B
, H01L 21/304 643 A
