特許
J-GLOBAL ID：200903000348394733

半導体装置の製造方法

発明者：
和泉 宇俊

和泉 宇俊 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-011260
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221176
出願日： 1994年02月03日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体集積回路の形成途上における多層配線の層間絶縁膜にTEOS-O3 系を反応ガスの原料としたNSG膜を用いる場合の層間絶縁膜の製造方法に関し、NSG膜からの水分の下地ブロック膜による適正な対処法、及び下地ブロック膜による層間絶縁膜の表面凹凸依存性をなくす。【構成】 TEOS-O3 系反応ガスを用いて形成されたNSG膜1が層間絶縁膜として用いられた半導体装置において、NSG膜1の下層にあらかじめ下地ブロック膜として、屈折率n=1.65以下のSiON膜2を形成する。
請求項（抜粋）：
テトラエチルオキシシラン-オゾン(TEOS-O3 )系反応ガスを用いて形成された実質的にノンドープの珪酸ガラス(NSG)膜(1) が層間絶縁膜として用いられた半導体装置において、該NSG膜(1) の下層にあらかじめ下地ブロック膜として、屈折率n=1.65以下のオキシ窒化シリコン(SiON)膜(2) を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
引用特許：
審査官引用 (4件)
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