特許
J-GLOBAL ID：200903084363586877
半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-302377
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162425
出願日： 1994年12月06日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路装置の配線構造の形成工程において、配線要素にダメージを与えることなく、異物ないしは残渣を除去することができ、もって配線欠陥の発生を防止して半導体集積回路装置の品質レベルを高めることができる手段を提供することを目的とする。【構成】 製造途上にある半導体集積回路装置102は、配線形成工程終了後あるいはプラグ構造形成工程終了後において、チャック101によって回転させられながら、中性溶液供給機構103から供給される酸化剤を含む中性溶液、例えば過酸化水素水106等によって洗浄される。また、純水供給機構107から供給される純水108によってリンスされる。酸化剤を含む中性溶液のエッチング作用は露出面積の小さいものほど強いので、上記洗浄により配線要素にダメージを与えることなく異物ないしは残渣が除去され、上記目的が達成される。
請求項（抜粋）：
半導体素子と該半導体素子を相互に接続する配線構造とが半導体基板上に配置された半導体集積回路装置の製造方法において、上記配線構造を構成する各種配線要素が順次形成される一連の配線要素形成工程と、上記一連の配線要素形成工程中において、製造途上にある半導体集積回路装置が、酸化剤を含む中性溶液を用いて洗浄される洗浄処理工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28
, H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/3063
, H01L 21/3213
H01L 21/306 L
, H01L 21/88 C
