特許

J-GLOBAL ID：200903000346789838

半導体装置の製造方法及び基板処理装置

発明者： 原田 徹
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 特許業務法人アイ・ピー・エス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-366487
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173482
出願日： 2004年12月17日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】膜厚均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。 【解決手段】調整用基板37を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるような状態でプロダクト用基板36を回転させて成膜する。基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるようにするには、反応炉の温度分布を調整することにより行う。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

基板を回転させずに成膜したときの基板面内全体における膜厚分布の勾配と方向が一定となるような状態で基板を回転させて成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/46

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/46

Fターム (17件)：

4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA07 ,  4K030JA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA22 ,  4K030KA23 ,  5F045AA03 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE19 ,  5F045BB02 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EM10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-061015   出願人：株式会社日立国際電気

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-191493
  
• 単結晶薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-079453   出願人：信越半導体株式会社
• 特開昭62-191493