レジストパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-125572
公開番号（公開出願番号）：特開2001-307993
出願日： 2000年04月26日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】精度良く微細なレジストパターンを形成する。【解決手段】回路パターンマスク3による露光・現像処理で、レジストパターン2aを形成した後、このレジストパターン2aの微細化を行う部分に対して照射マスク4を介して選択的にレーザを照射する。更に、ホットプレート6の温度分布を補正するための補正マスク5を介して、レジストパターン2aにレーザを照射する。レジストパターン2aにレーザを照射した後、シリコン基板1をホットプレート6で加熱する。レーザ光エネルギが照射されたレジスト材2は、溶融温度が低下するので、比較的低温度でこのレジスト材2が溶融し、レジストパターン2aの間隔が狭くなり、微細なレジストパターン2bを精度よく形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にフォトレジストを塗布する塗布処理と、前記半導体基板上に塗布されたフォトレジスト表面に所定のパターンが描かれたフォトマスクを介してレーザ光を当てて露光する露光処理と、前記露光されたフォトレジストを現像して前記半導体基板上に前記所定のパターンと同一形状の第1のレジストパターンを形成する現像処理と、前記半導体基板上に形成された第1のレジストパターン表面に所定量の光エネルギを照射することにより、該第1のレジストパターンを構成するフォトレジストの溶融温度を低下させる照射処理と、前記照射処理の施された半導体基板を所定時間だけ所定の温度に加熱することにより、前記第1のレジストパターンを熱によって変形させてパターン間隔が縮小された第2のレジストパターンを形成する加熱処理とを、行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/027 , G03F 7/095 , G03F 7/20 505 , G03F 7/20 521 , G03F 7/40 511

FI (6件)：

G03F 7/095 , G03F 7/20 505 , G03F 7/20 521 , G03F 7/40 511 , H01L 21/30 570 , H01L 21/30 515 B

Fターム (36件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BJ08 , 2H025CB59 , 2H025DA13 , 2H025FA29 , 2H025FA30 , 2H025FA33 , 2H096AA25 , 2H096BA01 , 2H096BA09 , 2H096EA04 , 2H096HA01 , 2H096HA03 , 2H096HA05 , 2H096KA02 , 2H096KA07 , 2H096KA30 , 2H097AA03 , 2H097BA10 , 2H097BB01 , 2H097CA17 , 2H097EA01 , 2H097GA45 , 2H097HB03 , 2H097JA02 , 2H097LA10 , 5F046AA25 , 5F046CA03 , 5F046CB17 , 5F046DA02 , 5F046DA26 , 5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (6件)

フォトレジストを用いるホールパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-080519 出願人：三菱化学株式会社
特開平2-212850
レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-204790 出願人：住友化学工業株式会社

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