特許
J-GLOBAL ID：200903000452718095

欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム

発明者：
渋谷 久恵

渋谷 久恵 について

, 
高木 裕治

高木 裕治 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

, 
日立電子エンジニアリング株式会社

日立電子エンジニアリング株式会社 について

, 
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-282173
公開番号（公開出願番号）：特開2004-117229
出願日： 2002年09月27日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】半導体ウェーハの製造工程において、検査装置によって検出された欠陥データに基づいて欠陥分布状態解析を行い、装置あるいはプロセス起因の不良原因の特定を容易にする。【解決手段】検査装置によって検出された欠陥位置座標に基づいて欠陥の分布状態を解析し、繰り返し欠陥、密集欠陥、円弧状分布欠陥、放射状分布欠陥、線状分布欠陥、環・塊状分布欠陥、ランダム欠陥のうちいずれかの分布特徴カテゴリに分類する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に回路パターンを形成する工程で処理された被処理基板を検査して得られた欠陥のデータから欠陥の分布を解析する方法であって、前記被処理基板を検査して得られた欠陥の位置の情報から該欠陥の前記被処理基板上の分布を求め、該求めた欠陥の分布の特徴を該欠陥の前記被処理基板上の位置情報を用いて、繰り返し欠陥、密集欠陥、円弧状分布欠陥、放射状分布欠陥、線状分布欠陥、環・塊状分布欠陥、ランダム欠陥の分布特徴カテゴリのうちの何れかに分類することを特徴とする欠陥データ解析方法。
IPC (4件)：
G01N21/956 ,  G01B11/24 ,  G06T7/00 ,  H01L21/02
FI (4件)：
G01N21/956 A ,  G06T7/00 300F ,  H01L21/02 Z ,  G01B11/24 Z
Fターム (27件)：
2F065AA52 ,  2F065BB01 ,  2F065CC01 ,  2F065QQ21 ,  2F065QQ41 ,  2F065UU05 ,  2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051EA11 ,  2G051EA12 ,  2G051EB01 ,  2G051EC01 ,  2G051EC02 ,  2G051ED09 ,  2G051FA01 ,  5L096AA06 ,  5L096BA03 ,  5L096EA28 ,  5L096EA43 ,  5L096FA24 ,  5L096FA62 ,  5L096FA66 ,  5L096FA67 ,  5L096FA69 ,  5L096JA11 ,  5L096JA18 ,  5L096MA07
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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