特許

J-GLOBAL ID：200903000459601126

半導体装置の製造方法

発明者： 河浪 孝ニ ,  田渕 清隆 ,  藤本 聡和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松尾 憲一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-283093
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100462
出願日： 2004年09月29日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】 金属配線部にヒロックが生じることを防止して、電気特性における不均一性の拡大を防止し、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板上に層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜に配線開口部を形成するとともに、この配線開口部内に銅を主成分とした導体膜を形成して金属配線を形成するようにした半導体装置の製造方法において、前記導体膜に水素を導入するための表面処理を施すこととした。また、前記表面処理を水素プラズマ処理とし、この水素プラズマ処理により前記導体膜に導入された水素を除去する表面処理を引き続き実行することとした。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜に配線開口部を形成するとともに、この配線開口部内に銅を主成分とした導体膜を形成して金属配線を形成するようにした半導体装置の製造方法において、 前記導体膜に水素を導入するための表面処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52

FI (1件)：

H01L21/88 M

Fターム (22件)：

5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033SS11 ,  5F033XX16 ,  5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-226876   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-300853   出願人：株式会社日立製作所