特許
J-GLOBAL ID：200903000463351657
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
片寄 恭三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-083799
公開番号（公開出願番号）：特開2009-239053
出願日： 2008年03月27日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】 回路素子領域への光の入射を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置200は、シリコン基板110上に受光素子領域120と、回路素子領域130と、受光素子領域120を除くシリコン基板110上に形成された多層配線領域210とを有する。多層配線領域210は、回路素子領域130の回路素子に電気的に接続された多層構造の金属配線層と外部からの光を遮光する遮光壁222、232、242、244とを含む。遮光壁242は、受光素子領域120の外周に沿うように配され、かつ多層構造の金属配線層と同一工程で形成される多層構造の金属層を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体領域に形成された少なくとも1つの受光素子領域と、
半導体領域に形成された少なくとも1つの回路素子領域と、
前記受光素子領域を除く前記半導体領域上に形成された多層配線領域とを有し、
前記多層配線領域は、前記回路素子領域の回路素子に電気的に接続された多層構造の金属配線層と外部からの光を遮光する遮光壁とを含み、
前記遮光壁は、前記受光素子領域の外周に沿うように配され、かつ前記多層構造の金属配線層と同一工程で形成される多層構造の金属層を含む、
半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F049MA04
, 5F049MB02
, 5F049NA17
, 5F049NB08
, 5F049RA06
, 5F049SZ10
, 5F049WA03
出願人引用 (1件)
-
フォトダイオードの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-138713
出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
審査官引用 (1件)
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