特許
J-GLOBAL ID:200903000465264689

半導体装置、配線基板及び半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 開口 宗昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-341340
公開番号(公開出願番号):特開2001-160597
出願日: 1999年11月30日
公開日(公表日): 2001年06月12日
要約:
【要約】【課題】本発明は、パッケージダイシング切断時のブレードの接触によりソルダーレジストに亀裂、欠落等のクラックが発生することのない半導体装置、配線基板及び半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 配線基板20の裏面において、ソルダーレジスト4の外周13は、切断後のパッケージの外周10より内側に位置し、ソルダーレジスト4の外周13と切断後のパッケージの外周10との間の領域及び切断後のパッケージの外周10より外側の領域14にはソルダーレジストが塗布されておらず、基材1が露出している。半導体装置21は、その裏面に、ソルダーレジストが塗布されず、基材1が露出している周縁部を有する。これによりブレード等の工具が配線基板の裏面のソルダーレジストに接触するさせず、ブレード等の工具の切削によりソルダーレジストに亀裂、欠落等のクラックが発生することがない。
請求項(抜粋):
配線が形成された裏面を所定の開口部を有するソルダーレジストによって絶縁被覆した配線基板と、前記配線基板の表面にボンディングされた半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止樹脂と、前記開口部に形成された外部端子とを備えてなる半導体装置において、前記ソルダーレジストの外周が前記配線基板の外周より内側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H01L 21/301
FI (2件):
H01L 23/12 L ,  H01L 21/78 A
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-014717   出願人:株式会社三井ハイテック
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-035637   出願人:シャープ株式会社

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