特許
J-GLOBAL ID：200903000486247890
固体撮像素子の製造方法及び固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 矢澤 清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-016532
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201087
出願日： 2006年01月25日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：
【課題】良好な特性を持つ固体撮像素子を容易に製造することが可能な固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】固体撮像素子は、垂直CCD5に読み出される電荷を蓄積するn型の不純物からなるn層2と、n層2上に形成されたp型の不純物からなるp層3とを含む光電変換素子を有し、p層3は、不純物濃度が相対的に高い高濃度不純物層3bと、高濃度不純物層3bとn層2との間に形成された不純物濃度が相対的に低い低濃度不純物層3aとの2層構造であり、高濃度不純物層3bの形成工程では、ドーズ量と注入エネルギの異なるイオン注入を複数回行って高濃度不純物層3bを形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
CCD型の固体撮像素子の製造方法であって、
前記固体撮像素子は、CCDに読み出される電荷を蓄積する第一の導電型の不純物からなる第一の不純物層と、前記第一の不純物層上に形成された前記第一の導電型とは反対の第二の導電型の不純物からなる第二の不純物層とを含む光電変換素子を有し、
前記第二の不純物層は、不純物濃度が相対的に低い低濃度不純物層と、前記低濃度不純物層の表面部に形成された不純物濃度が相対的に高い高濃度不純物層との2層構造であり、
前記高濃度不純物層の形成工程では、ドーズ量と注入エネルギの異なるイオン注入を複数回行って前記高濃度不純物層を形成する固体撮像素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 B
, H04N5/335 F
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118CA04
, 4M118CB14
, 4M118DA03
, 4M118DA28
, 4M118EA01
, 4M118FA06
, 4M118FA26
, 4M118FA35
, 4M118GB11
, 5C024CX03
, 5C024CX13
, 5C024CY47
