CMOSイメージセンサ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：山川政樹 , 山川茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-369171
公開番号（公開出願番号）：特開2005-197682
出願日： 2004年12月21日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】イメージセンサのアクティブ領域とフィールド領域との境界面がイオン注入によって損傷することないイメージセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のCMOSイメージセンサの製造方法は、第1導電型の半導体基板にトレンチを形成する段階と、前記トレンチの側面部に高濃度の第1導電型不純物イオン領域を形成する段階と、前記トレンチに絶縁膜を設けて素子分離膜を形成する段階と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜及びゲート電極を順次形成する段階と、前記ゲート電極と前記素子分離膜の間の基板内部にフォトダイオードのための第2導電型の不純物領域を形成する段階とを含むことを特徴とする。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

フィールド領域によって区画されるアクティブ領域を具備する第1導電型の半導体基板と、前記アクティブ領域の所定の部位に形成されているフォトダイオードと、前記フォトダイオードの周縁に沿って形成された素子分離膜と、前記素子分離膜の側面部に形成されている高濃度の第1導電型不純物イオン領域とを含むことを特徴とするCMOSイメージセンサ。

IPC (3件)：

H01L27/146 , H01L21/265 , H01L21/76

FI (5件)：

H01L27/14 A , H01L21/265 R , H01L21/265 V , H01L21/265 F , H01L21/76 L

Fターム (23件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118DD12 , 4M118EA01 , 4M118EA03 , 4M118EA07 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA27 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F032DA22 , 5F032DA25 , 5F032DA33 , 5F032DA44 , 5F032DA74 , 5F032DA77 , 5F032DA78

引用特許：

審査官引用 (4件)

光電変換装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-118746 出願人：ソニー株式会社
MOS型固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-342290 出願人：株式会社東芝
固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-381928 出願人：株式会社東芝

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