特許
J-GLOBAL ID：200903000487806744

複写、移動機能を有するフラッシュメモリ

発明者：
小松 功一

小松 功一 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 土井 健二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-169276
公開番号（公開出願番号）：特開2001-006379
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：
【要約】【課題】メモリデバイス内で、セルブロック単位で複写、移動、複数移動(統合)を、命令コマンドの入力と複写元又は移動元のアドレスと複写先又は移動先のアドレスとを与えるだけで行うことができる。【解決手段】本発明は、複数の不揮発性メモリセルを有するフラッシュメモリにおいて、複数の不揮発性メモリセルを有する複数のセルブロック感での複写動作を自動で行う。そのために、フラッシュメモリは、セルブロックに接続され、選択されたセルブロックの読み出しまたは書き込みデータを保持するデータラッチ回路20と、外部からの複写コマンドに応答して、複写先のセルブロックを消去し、複写元のセルブロックのデータを読み出して前記データラッチ回路に保持し、当該保持されたデータを複写先のセルブロックに書き込む制御回路16とを有する。移動命令、統合命令も同様にして行われる。
請求項（抜粋）：
複数の不揮発性メモリセルを有するフラッシュメモリにおいて、前記複数の不揮発性メモリセルを有する複数のセルブロックと、前記セルブロックに接続され、選択されたセルブロックの読み出しまたは書き込みデータを保持するデータラッチ回路と、外部からの複写コマンドに応答して、複写先のセルブロックを消去し、複写元のセルブロックのデータを読み出して前記データラッチ回路に保持し、当該保持されたデータを前記複写先のセルブロックに書き込む制御回路を有することを特徴とするフラッシュメモリ。
IPC (3件)：
G11C 16/06 ,  G06F 12/06 525 ,  G11C 16/02
FI (4件)：
G11C 17/00 634 G ,  G06F 12/06 525 C ,  G11C 17/00 611 G ,  G11C 17/00 612 F
Fターム (10件)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD08 ,  5B025AE00 ,  5B060CA12 ,  5B060CA17
引用特許：
審査官引用 (6件)
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