特許
J-GLOBAL ID：200903000501184816

半導体装置の製造方法

発明者：
小林 豊

小林 豊 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-069307
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269270
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】 応力解析を行った結果を用いてパッドの大きさを最適に設定することにより、接続部にかかる応力を均一化させ接続信頼性を向上させた半導体装置を製造する製造方法を提供する。【解決手段】 102の工程で、半導体パッケージ側の全ての接続部で応力が均一となるようにパッドの大きさを設定し、104の工程で、実装基板側の全ての接続部で応力が均一となるようにパッドの大きさを設定するような半導体装置の製造方法を採用した。
請求項（抜粋）：
半導体チップ又は基板の下面に形成されたパッドと、他の基板の上面に形成されたパッドとが、半田ボールを介して実装される半導体装置の製造方法において、該半導体装置の応力解析を行う工程と、該応力解析の結果から前記半導体チップ又は基板の下面に設けられたパッドの大きさを設定する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/88 T ,  H01L 23/12 L
Fターム (8件)：
5F033UU01 ,  5F033VV07 ,  5F033XX19 ,  5F044KK01 ,  5F044KK12 ,  5F044LL01 ,  5F044LL04 ,  5F044QQ06
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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