半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-325151
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228388
出願日： 1999年11月16日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】ウエハのハンドリングの機会を極小化し、また、ウエハをドライでクリーンな雰囲気でのみハンドリングする。【解決手段】ウエハ2を収容するウエハ収容室18が円周方向に沿って複数形成された回転テーブル1にウエハ2を載せる。回転テーブル1の周囲には、ウエハ収容室18のピッチに対応して前処理装置21、メッキ装置22a〜22d、洗浄装置23および乾燥装置24を設ける。ウエハ収容室18に収容されたウエハ2は、回転テーブル1の回転に伴い、前処理装置21等によって所定の処理が?A〜?Gの位置にて順に実施される。ウエハ2は、ハンドリング装置6により、?@の位置にて回転テーブル1に載せられ、?A〜?Gの処理が終了して?@の位置に戻った際に、回転テーブル1から取り出される。この際、?B〜?Eの位置では、処理条件を適宜変えてメッキ処理を行うこともできる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を収容する基板収容部が円周方向に沿って複数形成され、回転軸を中心として前記基板収容部が円周方向に回転移動する回転テーブルと、前記基板収容部の形成間隔に対応して配設され、前記回転テーブルの回転に伴い前記基板収容部に収容された半導体基板に対し所定の処理を順に実施する基板処理部とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 648 , H01L 21/304 651 , C23C 18/31 , C25D 19/00 , H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/304 648 J , H01L 21/304 651 Z , C23C 18/31 C , C25D 19/00 A , H01L 21/68 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

枚葉式真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-347399 出願人：日本真空技術株式会社
金属メッキ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-001995 出願人：日本電気株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-358885 出願人：日本電気株式会社

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