特許
J-GLOBAL ID：200903000514439490
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040261
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242458
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 良好な帰還容量特性と低オン電圧とを同時に実現し、ひいては安定した動作を確保することができる構造の半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の一方の主面に選択的に形成された第2導電型のベース領域と、ベース領域中に選択的に形成された第1導電型のソース領域と、第1導電型ドリフト領域,第2導電型ベース領域及び第1伝導型ソース領域上に形成された絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有するMOS型半導体装置を具備し、ベース領域の側面にドリフト領域より高濃度に不純物添加された第1導電型の不純物領域を有し、かつゲート電極下側のドリフト領域には不純物領域よりも不純物濃度の低い第1導電型領域が形成されている半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の一方の主面に選択的に形成された第2導電型のベース領域と、前記ベース領域中に選択的に形成された第1導電型のソース領域と、前記第1導電型ドリフト領域,前記第2導電型ベース領域及び前記第1伝導型ソース領域上に形成された絶縁膜を介して形成されたゲート電極を有するMOS型半導体装置を具備し、前記ベース領域の側面に前記ドリフト領域より高濃度に不純物添加された第1導電型の不純物領域を有し、かつゲート電極下側の前記ドリフト領域には前記不純物領域よりも不純物濃度の低い第1導電型領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 652 J
, H01L 29/78 655 A
