特許
J-GLOBAL ID：200903000518949700
加速度センサおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-149504
公開番号（公開出願番号）：特開2008-304218
出願日： 2007年06月05日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】検出精度を良好に維持しつつ小型化できる加速度センサおよびその製造方法を提供する。【解決手段】第1および第2の半導体層SL1、SL2が絶縁層IL1を挟んで貼り合わされている。加速度センサ素子は第1の半導体層SL1に形成されている。加速度センサ素子を制御する制御素子EDは第2の半導体層SL2に形成されている。貫通孔THが第2の半導体層SL2に形成されており、貫通孔THの壁面を覆うように絶縁層IL2が形成されている。貫通配線HIは、加速度センサ素子と制御素子EDとを電気的に接続するために貫通孔TH内に形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成された第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に形成された第2の半導体層と、
前記第1の半導体層に形成された加速度センサ素子と、
前記第2の半導体層に形成された、前記加速度センサ素子を制御するための制御素子とを備え、
前記加速度センサ素子と前記制御素子とを電気的に接続するための貫通孔が前記第2の半導体層に形成されており、さらに
前記貫通孔の壁面を覆うように形成された第2の絶縁層と、
前記加速度センサ素子と前記制御素子とを電気的に接続するために前記貫通孔内に形成された導電層とを備えた、加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P15/125 Z
, H01L29/84 Z
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA31
, 4M112CA32
, 4M112CA33
, 4M112DA02
, 4M112DA04
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA06
, 4M112FA20
, 4M112GA01
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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特開平3-094169
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衝突検出センサ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-180365
出願人：タカタ株式会社
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マイクロメカニカル素子およびその製法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-024155
出願人：ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
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