特許

J-GLOBAL ID：200903000547983594

半導体チップの製造方法

発明者： 狛 豊 ,  新田 永留夢
出願人/特許権者： 株式会社ディスコ
代理人 (1件)： 佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370069
公開番号（公開出願番号）：特開2003-173987
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 厚さが150μm以下のような薄い半導体チップを製造する場合において、半導体チップの抗折強度を十分に向上させる。【解決手段】 半導体ウェーハWの表面に少なくとも半導体チップの厚さに相当する深さの切削溝9を形成し、切削溝9が形成された半導体ウェーハWの表面に保護部材Tを貼着し、保護部材Tを下にして研削装置のチャックテーブルに載置して半導体ウェーハWの裏面を研削して切削溝9を表出させ、切削溝9の表出により個々の半導体チップに分離された状態で、半導体チップの裏面をドライエッチングすることにより、研削により裏面に生じた研削歪み層及び切削により生じた切削歪み層を除去する。

請求項（抜粋）：

ストリートによって区画されて複数の半導体チップが表面に形成された半導体ウェーハを個々の半導体チップに分離する半導体チップの製造方法であって、半導体ウェーハの表面に少なくとも半導体チップの厚さに相当する深さの切削溝を形成する切削溝形成工程と、該切削溝が形成された半導体ウェーハの表面に保護部材を貼着し、該保護部材を下にして研削装置のチャックテーブルに載置し、該半導体ウェーハの裏面を研削して該切削溝を表出させる裏面研削工程と、該切削溝の表出により個々の半導体チップに分離された状態で、該半導体チップの裏面をドライエッチングするドライエッチング工程とから構成される半導体チップの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/78 S

Fターム (7件)：

5F004AA07 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DB01 ,  5F004EB08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-297056
  
• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-263469   出願人：松下電器産業株式会社
• 研削システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-166926   出願人：株式会社ディスコ