特許

J-GLOBAL ID：200903094263236220

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 土師 宏 ,  酒見 省二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-263469
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144123
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 信頼性に優れた半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 外部接続用の電極2が形成された電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハ1の電極形成面にこの電極形成面を封止する封止機能を有する樹脂層3を形成する。この樹脂層形成工程後に、半導体ウェハ1の裏面を機械的な研削加工により削り取り、半導体ウェハ1を薄化する。これにより、薄化時に半導体ウェハ1は樹脂層3によって補強されているため均一な薄化が行えるとともに、保護シートを用いないことから従来発生していた保護シート剥離時の破損やダメージが発生せず、更に薄化後の半導体ウェハ1は樹脂層3によって補強され、切断(分割)時の外力によるダメージが防止される。

請求項（抜粋）：

半導体素子の外部接続用の電極が形成された電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハの電極形成面にこの電極形成面を封止する封止機能を有する樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、この樹脂層形成工程後に前記半導体ウェハの裏面を削る薄化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/12 501 ,  H01L 23/28

FI (5件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 23/12 501 P ,  H01L 23/28 Z ,  H01L 21/78 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211207   出願人：ソニー株式会社
• 半導体ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-320869   出願人：コマツ電子金属株式会社