気相成長装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：木戸一彦 , 木戸良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-096343
公開番号（公開出願番号）：特開2007-273660
出願日： 2006年03月31日
公開日（公表日）： 2007年10月18日
要約：

【課題】基板温度の調整を容易に行うことができ、特に、複数枚の基板に同時に気相成長を行う際の各基板毎の温度差を解消して同一特性の薄膜を得ることができる気相成長装置を提供する。【解決手段】ヒーター17により加熱されるサセプタ13の上面に、サセプタの材質とは異なる材質からなる調整板18を介して基板11を支持し、サセプタ及び調整板を介して基板を加熱するとともに、基板上面に気相原料を供給して薄膜を気相成長させる。気相成長時の基板温度を、調整板の厚さを調節することによって調節する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

加熱手段により加熱されるサセプタの上面に基板を支持し、該サセプタを介して前記基板を加熱するとともに、該基板の上面に気相原料を供給して薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記基板と前記サセプタとの間に、サセプタの材質とは異なる材質からなる調整板を介在させたことを特徴とする気相成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , C23C 16/46

FI (2件)：

H01L21/205 , C23C16/46

Fターム (18件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA08 , 4K030BA11 , 4K030BA38 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030KA23 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC07 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045BB01 , 5F045DP15 , 5F045EM06

引用特許：

出願人引用 (1件)

化合物半導体気相成長用基板ホルダおよび化合物半導体気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-095727 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (7件)

特開昭55-095700
MOCVD反応炉用サセプタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-506067 出願人：クリーインコーポレイテッド
特開昭63-204618

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