特許
J-GLOBAL ID：200903002582680297

MOCVD反応炉用サセプタ

発明者：
ナカムラ シュウジ

ナカムラ シュウジ について

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スティーブン ピー.デンバーズ

スティーブン ピー.デンバーズ について

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マックス バトレス

マックス バトレス について

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マイケル クールター

マイケル クールター について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-506067
公開番号（公開出願番号）：特表2005-526394
出願日： 2003年04月30日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
ウェーハにエピタキシャル層を成長する間中MOCVD反応炉中で半導体ウェーハを保持するサセプタが開示される。サセプタは、高温で低熱伝導率を有する材料で作られたベース構造を備え、さらに熱伝達プラグを収納する1つまたは複数の板孔を有する。プラグは、熱を半導体ウェーハに伝達するように高温で高熱伝導率を有する材料で作られる。また、本発明によるサセプタを使用する有機金属有機化学気相成長反応炉が開示される。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル層を成長する反応炉中で半導体ウェーハを保持するためのサセプタであって、 ベース板およびスリーブを有し、高温で低熱伝導率を有する材料製であるベース構造であって、前記ベース板が1つまたは複数の板孔を有するベース構造と、 それぞれが前記1つまたは複数の板孔のそれぞれの1つの中に収納されており、熱を前記半導体ウェーハに伝達するように高温で高熱伝導率を有する材料製である1つまたは複数の熱伝達プラグと を備えることを特徴とするサセプタ。
IPC (2件)：
H01L21/205 ,  H01L21/68
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L21/68 N
Fターム (22件)：
5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA03 ,  5F031HA08 ,  5F031HA12 ,  5F031HA37 ,  5F031HA42 ,  5F031HA50 ,  5F031HA59 ,  5F031MA28 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045EB06 ,  5F045EC01 ,  5F045EK21 ,  5F045EK24 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09
引用特許：
審査官引用 (8件)
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