特許

J-GLOBAL ID：200903000575742632

処理方法及び処理装置

発明者： 熊坂 岩夫 ,  久保 幸治 ,  鈴木 誠 ,  角田 勇二
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-132776
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306601
出願日： 1995年05月01日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 バッチ式の熱処理装置などにより半導体ウエハを処理するにあたり、ウエハWにより装置の状態を監視し、しかも運用が行いやすい方法及び装置を提供すること【構成】 キャリア収納棚32内に、装置モニタ用ウエハSWの入った専用のキャリアEQMCを収納しておくと共に、装置モニタ用ウエハを熱処理炉に取り込む周期、及びウエハボート23上の枚数及び保持位置を設定するための装置モニタパラメータ設定部を設け、設定周期毎に装置モニタ用ウエハをウエハボート23の上下両端部のダミーウエハ保持領域に保持して熱処理を行い、キャリア内の全ての装置モニタ用ウエハの熱処理が終了した後、このウエハを検査装置に運び、その処理状態から装置の状態を把握する。

請求項（抜粋）：

処理容器内に被処理基板を搬入し、被処理基板に対して所定の処理を行なう処理方法において処理装置の状態を監視するための装置モニタ用基板の処理周期を設定する工程と、前記被処理基板を処理する工程の間に予め設定した処理周期で割り込んで装置モニタ用基板を専用のキャリアから取り出して処理容器の中に搬入して処理する工程と、この工程で処理した装置モニタ用基板を専用のキャリアに収納する工程と、前記キャリア内に収納された処理済みの装置モニタ用基板に基づいて装置の状態を監視する工程と、を含むことを特徴とする処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  B25J 19/00 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/02 Z ,  B25J 19/00 Z ,  H01L 21/68 A

引用特許：

出願人引用 (3件)

• エッチング方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-303149   出願人：富士通株式会社
• 特開昭57-004501
  
• 電子回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-094134   出願人：株式会社日立製作所