特許
J-GLOBAL ID：200903000579046878

バイポーラトランジスタを有する半導体装置の製造方法

発明者：
松葉 省市

松葉 省市 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271451
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100827
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 優れた交流特性と安定した高い直流電流増幅率を有するバイポーラトランジスタを容易に得ることができるバイポーラトランジスタを有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 表面にベース拡散層6及び高濃度ベース拡散層7が形成された半導体基板1の表面上に絶縁膜8を成長させる。次に、ベース拡散層6上における絶縁膜8に、エミッタ形成用コンタクトホール9を設ける。その後、弗酸を含有する溶液に半導体基板1を浸漬して、ベース拡散層6の表面に形成された自然酸化膜を完全に除去する。その後、弗酸を含有する溶液を純水に置換することにより、ベース拡散層6の表面に安定なシリコン-水素結合が形成され、その後の自然酸化膜の成長を防止する。その後、これを過酸化水素を含有する溶液に浸漬することにより、ベース拡散層6の表面に均一な10Å以下の膜厚のシリコン酸化膜16を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面にベース領域を選択的に形成する工程と、前記ベース領域上に形成された自然酸化膜を弗酸を含有する溶液によりエッチング除去する工程と、前記自然酸化膜の除去により露出したベース領域の上に過酸化水素を含有する溶液によりシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜の上にエミッタ領域形成用ポリシリコン膜を形成する工程と、前記ポリシリコン膜から前記シリコン酸化膜を介して不純物を拡散させて前記ベース領域の表面にエミッタ領域を形成する工程と、を有することを特徴とするバイポーラトランジスタを有する半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/06
FI (2件)：
H01L 29/72 ,  H01L 27/06 321 B
Fターム (24件)：
5F003BA11 ,  5F003BA97 ,  5F003BB06 ,  5F003BB08 ,  5F003BC08 ,  5F003BE01 ,  5F003BE02 ,  5F003BE07 ,  5F003BE08 ,  5F003BP01 ,  5F003BP06 ,  5F003BP11 ,  5F003BP31 ,  5F003BP46 ,  5F048AA10 ,  5F048AC05 ,  5F048AC07 ,  5F048BA07 ,  5F048BF04 ,  5F048BG12 ,  5F048BH03 ,  5F048CA07 ,  5F048DB04 ,  5F048DB09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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